Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Галяутдинов, М. Ф. - Особенности рекомбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона
Галяутдинов, М. Ф. - Особенности рекомбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона
Статья
Автор: Галяутдинов, М. Ф.
Физика и техника полупроводников: Особенности рекомбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Галяутдинов, М. Ф.
Физика и техника полупроводников: Особенности рекомбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Галяутдинов, М. Ф.
Особенности рекомбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона / М. Ф. Галяутдинов, Н. В. Курбатова, С. А. Моисеев, Е. И. Штырков // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 790-794 .
Галяутдинов, М. Ф.
Особенности рекомбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона / М. Ф. Галяутдинов, Н. В. Курбатова, С. А. Моисеев, Е. И. Штырков // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 790-794 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный