Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основ...
Лебедев, А. А. - Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основ...
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лебедев, А. А.
Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC / А. А. Лебедев, С. Ортоланд, К. Реноуд, М. Л. Локателли, Д. Плансон, Ж. П. Шант // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 866-869 .
Лебедев, А. А.
Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC / А. А. Лебедев, С. Ортоланд, К. Реноуд, М. Л. Локателли, Д. Плансон, Ж. П. Шант // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 866-869 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный