Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Звонков, Б. Н. - Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Низкоразмерные системы
Звонков, Б. Н. - Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Низкоразмерные системы
Статья
Автор: Звонков, Б. Н.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Звонков, Б. Н.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Звонков, Б. Н.
Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Низкоразмерные системы / Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина-Пых, Е. Р. Линькова, В. Я. Алешкин, И. А. Карпович, Д. О. Филатов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 9 . – 1100-1106 .
Звонков, Б. Н.
Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Низкоразмерные системы / Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина-Пых, Е. Р. Линькова, В. Я. Алешкин, И. А. Карпович, Д. О. Филатов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 9 . – 1100-1106 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 9
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 9
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный