Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кудряшов, В. Е. - Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами / эл...
Кудряшов, В. Е. - Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами / эл...
Статья
Автор: Кудряшов, В. Е.
Физика и техника полупроводников: Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами / эл...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кудряшов, В. Е.
Физика и техника полупроводников: Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами / эл...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кудряшов, В. Е.
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами / электронные и оптические свойства полупроводников / В. Е. Кудряшов, К. Г. Золин, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович, А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 11 . – 1304-1310 .
Кудряшов, В. Е.
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами / электронные и оптические свойства полупроводников / В. Е. Кудряшов, К. Г. Золин, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович, А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 11 . – 1304-1310 .