Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Юнусов, М. С. - О механизмах долговременной релаксации проводимости в компенсированном Si(B,S) и Si(B,Rh) при рад...
Юнусов, М. С. - О механизмах долговременной релаксации проводимости в компенсированном Si(B,S) и Si(B,Rh) при рад...
Статья
Автор: Юнусов, М. С.
Физика и техника полупроводников: О механизмах долговременной релаксации проводимости в компенсированном Si(B,S) и Si(B,Rh) при рад...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Юнусов, М. С.
Физика и техника полупроводников: О механизмах долговременной релаксации проводимости в компенсированном Si(B,S) и Si(B,Rh) при рад...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Юнусов, М. С.
О механизмах долговременной релаксации проводимости в компенсированном Si(B,S) и Si(B,Rh) при радиационном воздействии / Электронные и оптические свойства полупроводников / М. С. Юнусов, М. Каримов, Б. Л. Оксенгендлер // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 3 . – 264-267 .
Юнусов, М. С.
О механизмах долговременной релаксации проводимости в компенсированном Si(B,S) и Si(B,Rh) при радиационном воздействии / Электронные и оптические свойства полупроводников / М. С. Юнусов, М. Каримов, Б. Л. Оксенгендлер // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 3 . – 264-267 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 3
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 3
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный