Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, Н. И. - Вольт-амперные характеристики GaN и ФдПфТз-ш-т-диодов / Физика полупроводниковых приборов
Кузнецов, Н. И. - Вольт-амперные характеристики GaN и ФдПфТз-ш-т-диодов / Физика полупроводниковых приборов
Статья
Автор: Кузнецов, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Вольт-амперные характеристики GaN и ФдПфТз-ш-т-диодов / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Вольт-амперные характеристики GaN и ФдПфТз-ш-т-диодов / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кузнецов, Н. И.
Вольт-амперные характеристики GaN и ФдПфТз-ш-т-диодов / Физика полупроводниковых приборов / Н. И. Кузнецов, K. G. Irvine // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 3 . – 369-372 .
Кузнецов, Н. И.
Вольт-амперные характеристики GaN и ФдПфТз-ш-т-диодов / Физика полупроводниковых приборов / Н. И. Кузнецов, K. G. Irvine // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 3 . – 369-372 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 3
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 3
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный