Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Изучение технологии получения монокристаллов и пленок соединений А2В6. Исследование условий получ...
Изучение технологии получения монокристаллов и пленок соединений А2В6. Исследование условий получ...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Отчет
Автор:
Изучение технологии получения монокристаллов и пленок соединений А2В6. Исследование условий получ...
Издательство: [МИСиС], 1975 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Изучение технологии получения монокристаллов и пленок соединений А2В6. Исследование условий получ...
Издательство: [МИСиС], 1975 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Отчет
Изучение технологии получения монокристаллов и пленок соединений А2В6. Исследование условий получения монокристаллов и пленок твердых растворов HgTe-CdTe. Исследование условий получения эпитаксиальных слоев CdHgTe в процессе пересублимации в замкнутом объеме. Исследование корреляции между составом и свойствами эпитаксиальных слоев сульфида и селенида кадмия. / А. В. Ванюков, В. К. Керножицкий, Г. А. Красулин . – М. : [МИСиС], 1975 . – 56 с. : ил. + Список лит. в конце отчета. - (МИСиС. ГР N 76004385. Инв. N Б457544). - Для служебного пользования.
Общий = Материаловедение : полупроводники
Общий = Кристаллография : кристаллы : виды : монокристаллы
СП-9144 27:Фонд отчетов ДСП МИСиС
Изучение технологии получения монокристаллов и пленок соединений А2В6. Исследование условий получения монокристаллов и пленок твердых растворов HgTe-CdTe. Исследование условий получения эпитаксиальных слоев CdHgTe в процессе пересублимации в замкнутом объеме. Исследование корреляции между составом и свойствами эпитаксиальных слоев сульфида и селенида кадмия. / А. В. Ванюков, В. К. Керножицкий, Г. А. Красулин . – М. : [МИСиС], 1975 . – 56 с. : ил. + Список лит. в конце отчета. - (МИСиС. ГР N 76004385. Инв. N Б457544). - Для служебного пользования.
Общий = Материаловедение : полупроводники
Общий = Кристаллография : кристаллы : виды : монокристаллы
СП-9144 27:Фонд отчетов ДСП МИСиС