Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бублик, В. Т. - Особенности структуры монокристаллов GaAs(Si), выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса ...
Бублик, В. Т. - Особенности структуры монокристаллов GaAs(Si), выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса ...
Статья
Автор: Бублик, В. Т.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Особенности структуры монокристаллов GaAs(Si), выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бублик, В. Т.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Особенности структуры монокристаллов GaAs(Si), выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бублик, В. Т.
Особенности структуры монокристаллов GaAs(Si), выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 / Атомная структура и методы структурных исследований / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. В. Жевнеров, А. В. Марков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 1999 . – N 4 . – 74-76 .
Бублик, В. Т.
Особенности структуры монокристаллов GaAs(Si), выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 / Атомная структура и методы структурных исследований / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. В. Жевнеров, А. В. Марков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 1999 . – N 4 . – 74-76 .
Привязано к:
Нет экз.