Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Давыдов, В. Ю. - Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN...
Давыдов, В. Ю. - Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN...
Статья
Автор: Давыдов, В. Ю.
Физика и техника полупроводников: Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Давыдов, В. Ю.
Физика и техника полупроводников: Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Давыдов, В. Ю.
Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN в области длин волн 1.0-1.6 мкм / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. Ю. Давыдов, В. В. Лундин, А. Н. Смирнов, Н. А. Соболев, А. С. Усиков, А. М. Емельянов, М. И. Маковийчук, Е. О. Паршин // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 1 . – 3-8 .
Давыдов, В. Ю.
Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN в области длин волн 1.0-1.6 мкм / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. Ю. Давыдов, В. В. Лундин, А. Н. Смирнов, Н. А. Соболев, А. С. Усиков, А. М. Емельянов, М. И. Маковийчук, Е. О. Паршин // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 1 . – 3-8 .