Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Боженов, А. В. - Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в крем...
Боженов, А. В. - Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в крем...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Диссертация
Автор: Боженов, А. В.
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в крем... : дис... к.физ.-мат.н.
Издательство: [МИСиС], 2001 г.
ISBN отсутствует
Автор: Боженов, А. В.
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в крем... : дис... к.физ.-мат.н.
Издательство: [МИСиС], 2001 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Диссертация
Б-761д
Боженов, А. В.
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : дис... к.физ.-мат.н. / А. В. Боженов ; науч. рук. Ю. Н. Пархоменко . – М. : [МИСиС], 2001 . – 200 с. : ил. + Библиогр.: с.180-200.
621.315.5:548.5:537.534(043.3)
Общий = Материаловедение
Общий = Физика : полупроводники
Общий = Кристаллография : кристаллы : рост
651588 19:Фонд дис.МИСиС
Б-761д
Боженов, А. В.
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : дис... к.физ.-мат.н. / А. В. Боженов ; науч. рук. Ю. Н. Пархоменко . – М. : [МИСиС], 2001 . – 200 с. : ил. + Библиогр.: с.180-200.
621.315.5:548.5:537.534(043.3)
Общий = Материаловедение
Общий = Физика : полупроводники
Общий = Кристаллография : кристаллы : рост
651588 19:Фонд дис.МИСиС