Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 11. Исследования тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниках с глубокими примесями
Глава 11. Исследования тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниках с глубокими примесями
Книга (аналит. описание)
Автор:
Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: Глава 11. Исследования тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниках с глубокими примесями
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: Глава 11. Исследования тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниках с глубокими примесями
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Глава 11. Исследования тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниках с глубокими примесями // Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / А. Милнс, М. К. Шейнкман . – М. : Мир, 1977 . – с. 332-369 .
Глава 11. Исследования тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниках с глубокими примесями // Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / А. Милнс, М. К. Шейнкман . – М. : Мир, 1977 . – с. 332-369 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Книга
Милнс, А.
Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках
Мир, 1977 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Милнс, А.
Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках
Мир, 1977 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный