Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Основные закономерности дефектообразования при получении эпитаксиальных структур
Основные закономерности дефектообразования при получении эпитаксиальных структур

Книга (аналит. описание)
Автор:
Полупроводниковые материалы в современной электронике: Основные закономерности дефектообразования при получении эпитаксиальных структур
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Полупроводниковые материалы в современной электронике: Основные закономерности дефектообразования при получении эпитаксиальных структур
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Основные закономерности дефектообразования при получении эпитаксиальных структур // Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский . – М. : Наука, 1986 . – с.71-89 . – (Пробл. науки и техн. прогресса) .
Основные закономерности дефектообразования при получении эпитаксиальных структур // Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский . – М. : Наука, 1986 . – с.71-89 . – (Пробл. науки и техн. прогресса) .