Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 6. Подпороговое дефектообразование в полупроводниках. 6.1. Экситонные и электронно-дырочные...
Глава 6. Подпороговое дефектообразование в полупроводниках. 6.1. Экситонные и электронно-дырочные...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Действие излучений на полупроводники: Глава 6. Подпороговое дефектообразование в полупроводниках. 6.1. Экситонные и электронно-дырочные...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Действие излучений на полупроводники: Глава 6. Подпороговое дефектообразование в полупроводниках. 6.1. Экситонные и электронно-дырочные...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глава 6. Подпороговое дефектообразование в полупроводниках. 6.1. Экситонные и электронно-дырочные механизмы. 6.2. Ионизационный механизм. 6.3. Электростатический-примесно-ионизационный механизм. 6.4. Другие механизмы образования дефектов // Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов . – М. : Наука, 1988 . – с. 76-99 .
Глава 6. Подпороговое дефектообразование в полупроводниках. 6.1. Экситонные и электронно-дырочные механизмы. 6.2. Ионизационный механизм. 6.3. Электростатический-примесно-ионизационный механизм. 6.4. Другие механизмы образования дефектов // Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов . – М. : Наука, 1988 . – с. 76-99 .