Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 8. Ионная имплантация. 'Лазерный' (импульсный) отжиг. 8.1. Дефекты структуры в полупроводниках, подвергнутых ионной бомбардировке, аморфизация. 8.2. Синтез полупроводниковых соединений и структур с использованием ускоренных ионов. 8.3. Электрические свойства ионно-легированных полупроводников. 8.4. Полупроводниковые слои в алмазах, полученные методом ионно-лучевого легирования. 8.5. Ионно-лучевое легирование соединений типа AIIBVI. 8.6. Ионно-лучевое легирование GaAs и других соединений типа AIIIBV. 8.7. Лазерный (импульсный) отжиг имплантированных слоев. 8.8. Основные экспериментальные данные. 8.9. Особенности диффузии примесей при лазерном отжиге. 8.10. Отжиг точечных дефектов и слабо разупорядоченных слоев. 8.11. Метод обратного рассеяния легких частиц // Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов . – М. : Наука, 1988 . – с. 134-162 .