Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометр...

Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометр...

Книга (аналит. описание)
Автор:
Точечные дефекты в полупроводниках: Теория: Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометрическая конфигурация точечных дефектов. 1.2.1. Вакансия. 1.2.2. Двойная вакансия. 1.2.3. Междоузельный дефект. 1.2.4. Сложные дефекты. 1.2.5. Агрегаты дефектов. 1.3. Дисторсия и релаксация решетки. 1.4. Симметрия дефекта и теория групп. 1.4.1. Факторизация гамильтониана. 1.4.2. Неприводимые представления. 1.4.3. Пример вакансии в решетке алмаза. 1.4.4. Различные вопросы, представляющие интерес. 1.4.5. Базисные функции для неприводимых представлений. 1.4.6. Упрощение матричных элементов на основании соображений симметрии. 1.5. Экспериментальное определение симметрии дефекта. 1.5.1. Расщепление под действием одноосных напряжений. а. Общие соображения. б. Расщепление двукратно выраженного состояния Е группы Т4. в. Случай состояния Т2. г. Понижение симметрии и ориентационное вырождение. 1.5.2. Дипольные переходы. 1.5.3. Другие возмущения // Точечные дефекты в полупроводниках: Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн, В. Л. Гуревич . – М. : Мир, 1984 . – с. 13-46 .






Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Доступно
 3 из 3
Книга
Ланно, М.
Точечные дефекты в полупроводниках: Теория
Мир, 1984 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167