Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометр...
Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометр...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Точечные дефекты в полупроводниках: Теория: Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Точечные дефекты в полупроводниках: Теория: Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометр...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометрическая конфигурация точечных дефектов. 1.2.1. Вакансия. 1.2.2. Двойная вакансия. 1.2.3. Междоузельный дефект. 1.2.4. Сложные дефекты. 1.2.5. Агрегаты дефектов. 1.3. Дисторсия и релаксация решетки. 1.4. Симметрия дефекта и теория групп. 1.4.1. Факторизация гамильтониана. 1.4.2. Неприводимые представления. 1.4.3. Пример вакансии в решетке алмаза. 1.4.4. Различные вопросы, представляющие интерес. 1.4.5. Базисные функции для неприводимых представлений. 1.4.6. Упрощение матричных элементов на основании соображений симметрии. 1.5. Экспериментальное определение симметрии дефекта. 1.5.1. Расщепление под действием одноосных напряжений. а. Общие соображения. б. Расщепление двукратно выраженного состояния Е группы Т4. в. Случай состояния Т2. г. Понижение симметрии и ориентационное вырождение. 1.5.2. Дипольные переходы. 1.5.3. Другие возмущения // Точечные дефекты в полупроводниках: Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн, В. Л. Гуревич . – М. : Мир, 1984 . – с. 13-46 .
Глава 1. Атомная конфигурация точечных дефектов. 1.1. Определение точечных дефектов. 1.2. Геометрическая конфигурация точечных дефектов. 1.2.1. Вакансия. 1.2.2. Двойная вакансия. 1.2.3. Междоузельный дефект. 1.2.4. Сложные дефекты. 1.2.5. Агрегаты дефектов. 1.3. Дисторсия и релаксация решетки. 1.4. Симметрия дефекта и теория групп. 1.4.1. Факторизация гамильтониана. 1.4.2. Неприводимые представления. 1.4.3. Пример вакансии в решетке алмаза. 1.4.4. Различные вопросы, представляющие интерес. 1.4.5. Базисные функции для неприводимых представлений. 1.4.6. Упрощение матричных элементов на основании соображений симметрии. 1.5. Экспериментальное определение симметрии дефекта. 1.5.1. Расщепление под действием одноосных напряжений. а. Общие соображения. б. Расщепление двукратно выраженного состояния Е группы Т4. в. Случай состояния Т2. г. Понижение симметрии и ориентационное вырождение. 1.5.2. Дипольные переходы. 1.5.3. Другие возмущения // Точечные дефекты в полупроводниках: Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн, В. Л. Гуревич . – М. : Мир, 1984 . – с. 13-46 .