Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 4. Многоэлектронные эффекты и более сложные теории глубоких уровней. 4.1. Одноэлектронные самосогласованные расчеты. 4.1.1. Метод сильной связи с учетом заряда. 4.1.2. Модель Халдейна и Андерсона. 4.1.3. Метод ППДП. 4.1.4. Обобщенная теория Хюккеля. 4.1.5. Самосогласованные расчеты, в которых используются функции Грина. 4.1.6. Интерпретация самосогласованного потенциала по методу Томаса-Ферми. 4.2. Многоэлектронные эффекты. Конфигурационное взаимодействие. 4.2.1. Молекула H2. а. Обозначения. б. Точное решение. в. Ограниченное решение уравнений Хартри-Фока и конфигурационное взаимодействие. г. Неограниченное приближение Хартри-Фока.д. Непосредственное использование свойств симметрии. 4.2.2. Вакансии в ковалентных кристаллах. а. Описание модели. б. Различные конфигурации. в. Обсуждение результатов. г. Применимость одноэлектронных теорий // Точечные дефекты в полупроводниках: Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн, В. Л. Гуревич . – М. : Мир, 1984 . – с. 121-161 .