Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 5. Колебательные свойства и энтропия. 5.1. Колебательные моды. 5.1.1. Динамическая матрица....
Глава 5. Колебательные свойства и энтропия. 5.1. Колебательные моды. 5.1.1. Динамическая матрица....
Книга (аналит. описание)
Автор:
Точечные дефекты в полупроводниках: Теория: Глава 5. Колебательные свойства и энтропия. 5.1. Колебательные моды. 5.1.1. Динамическая матрица....
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Точечные дефекты в полупроводниках: Теория: Глава 5. Колебательные свойства и энтропия. 5.1. Колебательные моды. 5.1.1. Динамическая матрица....
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глава 5. Колебательные свойства и энтропия. 5.1. Колебательные моды. 5.1.1. Динамическая матрица. 5.1.2. Линейная цепочка. 5.1.3. Линейная цепочка с двумя атомами в элементарной ячейке.5.1.4. Ковалентный кристалл. 5.2. Локализованные моды, связанные с дефектами. 5.2.1. Изотопический дефект в одноатомной линейной цепочке. 5.2.2.Изотопический дефект в общем случае. 5.2.3. Разложение функции Грина. 5.2.4. Вакансия. 5.3. Экспериментальное определение частот колебательных мод. 5.4. Энтропия колебаний. 5.4.1. Общее выражение. 5.4.2. Разложение по моментам. 5.4.3. Вакансия. 5.4.4. Вакансия в ковалентных кристаллах. а. Энтропия образования. б. Энтропия миграции. 5.4.5. Точное вычисление изменения энтропии. 5.4.6. Экспериментальное определение энтропии // Точечные дефекты в полупроводниках: Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн, В. Л. Гуревич . – М. : Мир, 1984 . – с. 162-195 .
Глава 5. Колебательные свойства и энтропия. 5.1. Колебательные моды. 5.1.1. Динамическая матрица. 5.1.2. Линейная цепочка. 5.1.3. Линейная цепочка с двумя атомами в элементарной ячейке.5.1.4. Ковалентный кристалл. 5.2. Локализованные моды, связанные с дефектами. 5.2.1. Изотопический дефект в одноатомной линейной цепочке. 5.2.2.Изотопический дефект в общем случае. 5.2.3. Разложение функции Грина. 5.2.4. Вакансия. 5.3. Экспериментальное определение частот колебательных мод. 5.4. Энтропия колебаний. 5.4.1. Общее выражение. 5.4.2. Разложение по моментам. 5.4.3. Вакансия. 5.4.4. Вакансия в ковалентных кристаллах. а. Энтропия образования. б. Энтропия миграции. 5.4.5. Точное вычисление изменения энтропии. 5.4.6. Экспериментальное определение энтропии // Точечные дефекты в полупроводниках: Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн, В. Л. Гуревич . – М. : Мир, 1984 . – с. 162-195 .