Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 7. Миграция и диффузия дефектов. 7.1. Вероятность прыжка и энергия миграции. 7.1.1. Теория скорости процесса. 7.1.2. Динамическая теория. 7.2. Экспериментальное определение энтальпии миграции. 7.3. Влияние заряда на миграцию дефектов. 7.3.1. Теория Вейзера. 7.3.2. Миграция, стимулированная ионизацией. а. Электрострикционный механизм. б. Нормальная миграция, стимулирванная ионизацией. в. Нетепловая миграция, стимулированная ионизацией. г. Механизм с выделением энергии. 7.4. Диффузия. 7.4.1. Закон Фика. 7.4.2. Экспериментальное определение коэффициента диффузии. 7.4.3. Самодиффузия. 7.4.4. Диффузия примесей замещения. 7.4.5. Диффузия междоузельных примесей // Точечные дефекты в полупроводниках: Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн, В. Л. Гуревич . – М. : Мир, 1984 . – с. 223-247 .