Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ганн, С. - 9. Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе У...
Ганн, С. - 9. Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе У...
Книга (аналит. описание)
Автор: Ганн, С.
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: 9. Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе У...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ганн, С.
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: 9. Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе У...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Ганн, С.
9. Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе Университета шт. Миссури (ИРУМ). Факторы, учитываемые при проектировании облучательных установок. Описание реактора. Конструкция вставных клиновидных блоков для облучения кремния. Методы облучения. Производительность облучения / С. Ганн, Дж. Миз, Д. Олже // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Дж. Миз . – М. : Мир, 1982 . – с. 104-122 . – ( ; 11) .
Ганн, С.
9. Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе Университета шт. Миссури (ИРУМ). Факторы, учитываемые при проектировании облучательных установок. Описание реактора. Конструкция вставных клиновидных блоков для облучения кремния. Методы облучения. Производительность облучения / С. Ганн, Дж. Миз, Д. Олже // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Дж. Миз . – М. : Мир, 1982 . – с. 104-122 . – ( ; 11) .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Книга
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Мир, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Мир, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный