Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Хобгуд, Х. - 16. Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокоч...
Хобгуд, Х. - 16. Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокоч...
Книга (аналит. описание)
Автор: Хобгуд, Х.
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: 16. Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокоч...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Хобгуд, Х.
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: 16. Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокоч...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Хобгуд, Х.
16. Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокочувствительных ИК-приемников. Требования к характеристикам материала. Выращивание исходного материала. Нейтронное трансмутационное легирование. Оценка характеристик фотоприемников из трансмутационно-компенсированного Si:In / Х. Хобгуд, Т. Брэггинз, Дж. Сварц, Р. Томас // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Дж. Миз . – М. : Мир, 1982 . – с. 217-238 . – ( ; 11) .
Хобгуд, Х.
16. Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокочувствительных ИК-приемников. Требования к характеристикам материала. Выращивание исходного материала. Нейтронное трансмутационное легирование. Оценка характеристик фотоприемников из трансмутационно-компенсированного Si:In / Х. Хобгуд, Т. Брэггинз, Дж. Сварц, Р. Томас // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Дж. Миз . – М. : Мир, 1982 . – с. 217-238 . – ( ; 11) .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Книга
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Мир, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Мир, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный