Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Уиссмен, У. - Глава 1. Перспективы развития технологии и изготовления ИСна основе GaAs. 1.2. История развития т...
Уиссмен, У. - Глава 1. Перспективы развития технологии и изготовления ИСна основе GaAs. 1.2. История развития т...
Книга (аналит. описание)
Автор: Уиссмен, У.
Арсенид галлия в микроэлектронике: Глава 1. Перспективы развития технологии и изготовления ИСна основе GaAs. 1.2. История развития т...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Уиссмен, У.
Арсенид галлия в микроэлектронике: Глава 1. Перспективы развития технологии и изготовления ИСна основе GaAs. 1.2. История развития т...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Уиссмен, У.
Глава 1. Перспективы развития технологии и изготовления ИСна основе GaAs. 1.2. История развития технологии изготовления приборов на GaAs. 1.3. Свойства GaAs и других материалов типа AIIIBV. 1.4. Приборные структуры, предназначенные для использования в ИС. 1.5. Новые материалы и приборы / У. Уиссмен, У. Френсли // Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер. с англ. / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан, др., Н. Айнспрук, У. Уиссмен . – М. : Мир, 1988 . – с. 9-53 .
Уиссмен, У.
Глава 1. Перспективы развития технологии и изготовления ИСна основе GaAs. 1.2. История развития технологии изготовления приборов на GaAs. 1.3. Свойства GaAs и других материалов типа AIIIBV. 1.4. Приборные структуры, предназначенные для использования в ИС. 1.5. Новые материалы и приборы / У. Уиссмен, У. Френсли // Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер. с англ. / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан, др., Н. Айнспрук, У. Уиссмен . – М. : Мир, 1988 . – с. 9-53 .