Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дункан, У. - Глава 2. Изготовление GaAS и его свойства. 2.2. Выращивание монокристаллов GaAS. 2.3. Прямая ионн...
Дункан, У. - Глава 2. Изготовление GaAS и его свойства. 2.2. Выращивание монокристаллов GaAS. 2.3. Прямая ионн...
Книга (аналит. описание)
Автор: Дункан, У.
Арсенид галлия в микроэлектронике: Глава 2. Изготовление GaAS и его свойства. 2.2. Выращивание монокристаллов GaAS. 2.3. Прямая ионн...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дункан, У.
Арсенид галлия в микроэлектронике: Глава 2. Изготовление GaAS и его свойства. 2.2. Выращивание монокристаллов GaAS. 2.3. Прямая ионн...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Дункан, У.
Глава 2. Изготовление GaAS и его свойства. 2.2. Выращивание монокристаллов GaAS. 2.3. Прямая ионная имплантация. 2.4. Свойства подложки и активного слоя / У. Дункан, Дж. Уестфел // Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер. с англ. / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан, др., Н. Айнспрук, У. Уиссмен . – М. : Мир, 1988 . – с. 54-103 .
Дункан, У.
Глава 2. Изготовление GaAS и его свойства. 2.2. Выращивание монокристаллов GaAS. 2.3. Прямая ионная имплантация. 2.4. Свойства подложки и активного слоя / У. Дункан, Дж. Уестфел // Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер. с англ. / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан, др., Н. Айнспрук, У. Уиссмен . – М. : Мир, 1988 . – с. 54-103 .
Привязано к:
Доступно
4 из 4
Книга
Арсенид галлия в микроэлектронике: Пер. с англ.
Мир, 1988 г.
ISBN 5-03-000130-1
Библиотека МИСиС : Научный
Арсенид галлия в микроэлектронике: Пер. с англ.
Мир, 1988 г.
ISBN 5-03-000130-1
Библиотека МИСиС : Научный