Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Зулиг, Р.
Глава 11. Радиационные эффекты в ИС на GaAs.11.2. Механизмы нарушения. 11.3. Деградация приборных характеристик при облучении быстрыми нейтронами. 11.4. Эффекты суммарной дозы ионизирующей радиации. 11.5. Переходные процессы, возникающие под действием импульса ионизирующей радиации. 11.6. Моделирование отказов логических ИС на GaAs. 11.7. Одиночные случайные отказы. 11.8. Характеристики отжига дефектов. 11.9. Перспективы создания радиационно-стойких ИС на GaAs / Р. Зулиг // Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер. с англ. / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан, др., Н. Айнспрук, У. Уиссмен . – М. : Мир, 1988 . – с. 500-547 .