Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 16. Основы теории растворимости примесей в полупроводниках: О некоторых эмпирических законо...
Глава 16. Основы теории растворимости примесей в полупроводниках: О некоторых эмпирических законо...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках: Глава 16. Основы теории растворимости примесей в полупроводниках: О некоторых эмпирических законо...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках: Глава 16. Основы теории растворимости примесей в полупроводниках: О некоторых эмпирических законо...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глава 16. Основы теории растворимости примесей в полупроводниках: О некоторых эмпирических закономерностях образования твердых растворов. Термодинамические величины для разбавленных твердых растворов. Фазовое равновесие и термодинамические параметры твердых растворов. О коэффициенте сегрегации. Зависимость коэффициента сегрегации от температуры. О ретроградной растворимости примесей в полупроводниках. Электролитическая модель растворимости примесей в полупроводниках. Взаимное влияние донорных и акцепторных примесей на их растворимость в полупроводниках. Растворимость и комплексообразование. Учет кулоновского взаимодействия между ионизованными примесями // Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс . – М. : Наука, 1972 . – с. 326-345 .
Глава 16. Основы теории растворимости примесей в полупроводниках: О некоторых эмпирических закономерностях образования твердых растворов. Термодинамические величины для разбавленных твердых растворов. Фазовое равновесие и термодинамические параметры твердых растворов. О коэффициенте сегрегации. Зависимость коэффициента сегрегации от температуры. О ретроградной растворимости примесей в полупроводниках. Электролитическая модель растворимости примесей в полупроводниках. Взаимное влияние донорных и акцепторных примесей на их растворимость в полупроводниках. Растворимость и комплексообразование. Учет кулоновского взаимодействия между ионизованными примесями // Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс . – М. : Наука, 1972 . – с. 326-345 .