Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Воронина, Т. И. - Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпи...
Воронина, Т. И. - Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпи...
Статья
Автор: Воронина, Т. И.
Физика и техника полупроводников: Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпи...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Воронина, Т. И.
Физика и техника полупроводников: Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпи...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Воронина, Т. И.
Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений / Электронные и оптические свойства полупроводников / Т. И. Воронина, Н. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 10 . – 1168-1172 .
Воронина, Т. И.
Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений / Электронные и оптические свойства полупроводников / Т. И. Воронина, Н. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 10 . – 1168-1172 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 10
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 10
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный