Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Рудь, В. Ю. - Получение и свойства барьеров Шоттки In/HgGa2S4 / ПОлупроводниковые структуры, границы раздела и ...
Рудь, В. Ю. - Получение и свойства барьеров Шоттки In/HgGa2S4 / ПОлупроводниковые структуры, границы раздела и ...
Статья
Автор: Рудь, В. Ю.
Физика и техника полупроводников: Получение и свойства барьеров Шоттки In/HgGa2S4 / ПОлупроводниковые структуры, границы раздела и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Рудь, В. Ю.
Физика и техника полупроводников: Получение и свойства барьеров Шоттки In/HgGa2S4 / ПОлупроводниковые структуры, границы раздела и ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Рудь, В. Ю.
Получение и свойства барьеров Шоттки In/HgGa2S4 / ПОлупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, M. C. Ohmer, P. G. Schunemann // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 10 . – 1217-1219 .
Рудь, В. Ю.
Получение и свойства барьеров Шоттки In/HgGa2S4 / ПОлупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, M. C. Ohmer, P. G. Schunemann // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 10 . – 1217-1219 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 10
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 10
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный