Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Василевский, К. В.
Электрические характеристики и структурные свойства омических контактов к эпитаксиальным слоям 4H-SiC с дырочной проводимостью / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / К. В. Василевский, K. Zekentes, С. В. Рендакова, И. П. Никитина, А. И. Бабанин, А. Н. Андреев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 11 . – 1334-1339 .