Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бочкарева, Н. И. - Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si/SiO2 на проводимость п...
Бочкарева, Н. И. - Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si/SiO2 на проводимость п...
Статья
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si/SiO2 на проводимость п...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si/SiO2 на проводимость п...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si/SiO2 на проводимость поверхностных электронных каналов / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Бочкарева, С. А. Хорев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 11 . – 1340-1344 .
Бочкарева, Н. И.
Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si/SiO2 на проводимость поверхностных электронных каналов / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Бочкарева, С. А. Хорев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 11 . – 1340-1344 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 11
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 11
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный