Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Аранович, Г. Л. - Исследование и разработка процесса осаждения в тлеющем разряде защитных пленок диоксида кремния р...
Аранович, Г. Л. - Исследование и разработка процесса осаждения в тлеющем разряде защитных пленок диоксида кремния р...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Автореферат
Автор: Аранович, Г. Л.
Исследование и разработка процесса осаждения в тлеющем разряде защитных пленок диоксида кремния р... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.17.16 - "Технология полупроводников и материалов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 1981 г.
ISBN отсутствует
Автор: Аранович, Г. Л.
Исследование и разработка процесса осаждения в тлеющем разряде защитных пленок диоксида кремния р... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.17.16 - "Технология полупроводников и материалов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 1981 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Автореферат
А-791асп
Аранович, Г. Л.
Исследование и разработка процесса осаждения в тлеющем разряде защитных пленок диоксида кремния разложением химических соединений : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.17.16 - "Технология полупроводников и материалов электронной техники" / Г. Л. Аранович . – М. : [МИСиС], 1981 . – 26 с. - (Для служебного пользования).
Общий = Физика : твердое тело : тонкие пленки
Общий = Физика : полупроводники
СП-13551 21:Фонд дис.ДСП МИСиС
А-791асп
Аранович, Г. Л.
Исследование и разработка процесса осаждения в тлеющем разряде защитных пленок диоксида кремния разложением химических соединений : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.17.16 - "Технология полупроводников и материалов электронной техники" / Г. Л. Аранович . – М. : [МИСиС], 1981 . – 26 с. - (Для служебного пользования).
Общий = Физика : твердое тело : тонкие пленки
Общий = Физика : полупроводники
СП-13551 21:Фонд дис.ДСП МИСиС