Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Нельсон, Р. С. - Влияние температуры и каналирования на радиационные дефекты, созданные в Si при ионной бомбардировке
Нельсон, Р. С. - Влияние температуры и каналирования на радиационные дефекты, созданные в Si при ионной бомбардировке
Книга (аналит. описание)
Автор: Нельсон, Р. С.
Легирование полупроводников ионным внедрением: Влияние температуры и каналирования на радиационные дефекты, созданные в Si при ионной бомбардировке
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Нельсон, Р. С.
Легирование полупроводников ионным внедрением: Влияние температуры и каналирования на радиационные дефекты, созданные в Si при ионной бомбардировке
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Нельсон, Р. С.
Влияние температуры и каналирования на радиационные дефекты, созданные в Si при ионной бомбардировке / Р. С. Нельсон, Д. Дж. Мейзи // Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей / ред. пер. В. С. Вавилов, В. М. Гусев . – М. : Мир, 1971 . – с. 154-164 .
Нельсон, Р. С.
Влияние температуры и каналирования на радиационные дефекты, созданные в Si при ионной бомбардировке / Р. С. Нельсон, Д. Дж. Мейзи // Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей / ред. пер. В. С. Вавилов, В. М. Гусев . – М. : Мир, 1971 . – с. 154-164 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Книга
Легирование полупроводников ионным внедрением: Сборник статей
Мир, 1971 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Легирование полупроводников ионным внедрением: Сборник статей
Мир, 1971 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный