Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ганерсен, Е. М. - Влияние радиационных дефектов на профиль распределения концентрации носителей в кремнии и германи...
Ганерсен, Е. М. - Влияние радиационных дефектов на профиль распределения концентрации носителей в кремнии и германи...
Книга (аналит. описание)
Автор: Ганерсен, Е. М.
Легирование полупроводников ионным внедрением: Влияние радиационных дефектов на профиль распределения концентрации носителей в кремнии и германи...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ганерсен, Е. М.
Легирование полупроводников ионным внедрением: Влияние радиационных дефектов на профиль распределения концентрации носителей в кремнии и германи...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Ганерсен, Е. М.
Влияние радиационных дефектов на профиль распределения концентрации носителей в кремнии и германии, подвергнутых ионной бомбардировке / Е. М. Ганерсен, А. Дж. Хитчкок, Г. Г Джордж // Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей / ред. пер. В. С. Вавилов, В. М. Гусев . – М. : Мир, 1971 . – с. 391-402 .
Ганерсен, Е. М.
Влияние радиационных дефектов на профиль распределения концентрации носителей в кремнии и германии, подвергнутых ионной бомбардировке / Е. М. Ганерсен, А. Дж. Хитчкок, Г. Г Джордж // Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей / ред. пер. В. С. Вавилов, В. М. Гусев . – М. : Мир, 1971 . – с. 391-402 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Книга
Легирование полупроводников ионным внедрением: Сборник статей
Мир, 1971 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Легирование полупроводников ионным внедрением: Сборник статей
Мир, 1971 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный