Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Баченен, Б. - Получение новых полупроводниковых структур с p-n-переходами методом облучения ионами высокой (1-2...
Баченен, Б. - Получение новых полупроводниковых структур с p-n-переходами методом облучения ионами высокой (1-2...
Книга (аналит. описание)
Автор: Баченен, Б.
Легирование полупроводников ионным внедрением: Получение новых полупроводниковых структур с p-n-переходами методом облучения ионами высокой (1-2...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Баченен, Б.
Легирование полупроводников ионным внедрением: Получение новых полупроводниковых структур с p-n-переходами методом облучения ионами высокой (1-2...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Баченен, Б.
Получение новых полупроводниковых структур с p-n-переходами методом облучения ионами высокой (1-2,5 Мэв) энергии / Б. Баченен, Р. Долен, С. Русилд // Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей / ред. пер. В. С. Вавилов, В. М. Гусев . – М. : Мир, 1971 . – с. 446-464 .
Баченен, Б.
Получение новых полупроводниковых структур с p-n-переходами методом облучения ионами высокой (1-2,5 Мэв) энергии / Б. Баченен, Р. Долен, С. Русилд // Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей / ред. пер. В. С. Вавилов, В. М. Гусев . – М. : Мир, 1971 . – с. 446-464 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Книга
Легирование полупроводников ионным внедрением: Сборник статей
Мир, 1971 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Легирование полупроводников ионным внедрением: Сборник статей
Мир, 1971 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный