Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пищалко, В. Д. - Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
Пищалко, В. Д. - Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
Статья
Автор: Пищалко, В. Д.
Физика и техника полупроводников: Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пищалко, В. Д.
Физика и техника полупроводников: Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Пищалко, В. Д.
Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP / В. Д. Пищалко, В. И. Толстихин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 3 . – с. 462-471 .
Пищалко, В. Д.
Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP / В. Д. Пищалко, В. И. Толстихин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 3 . – с. 462-471 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 3
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 3
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный