Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Векслер, М. И. - Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных ст...
Векслер, М. И. - Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных ст...
Статья
Автор: Векслер, М. И.
Физика и техника полупроводников: Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных ст...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Векслер, М. И.
Физика и техника полупроводников: Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных ст...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Векслер, М. И.
Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO2/n-Si / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / М. И. Векслер, И. В. Грехов, А. Ф. Шулекин // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 7 . – 803-808 .
Векслер, М. И.
Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO2/n-Si / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / М. И. Векслер, И. В. Грехов, А. Ф. Шулекин // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 7 . – 803-808 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 7
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 7
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный