Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Овсюк, В. Н. - Фоточувствительность структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом / Полупров...
Овсюк, В. Н. - Фоточувствительность структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом / Полупров...
Статья
Автор: Овсюк, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Фоточувствительность структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом / Полупров...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Овсюк, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Фоточувствительность структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом / Полупров...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Овсюк, В. Н.
Фоточувствительность структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. Н. Овсюк, В. В. Васильев, Ю. П. Машуков // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 7 . – 822-826 .
Овсюк, В. Н.
Фоточувствительность структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. Н. Овсюк, В. В. Васильев, Ю. П. Машуков // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 7 . – 822-826 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 7
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 7
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный