Электронный каталог -Айдаралиев, М. - Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Айдаралиев, М. - Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...

Айдаралиев, М. - Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...

Статья
Автор: Айдаралиев, М.
Физика и техника полупроводников: Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Айдаралиев, М.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазерной спектроскопии / Физика полупроводниковых приборов / М. Айдаралиев, T. Beyer, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, М. Н. Стусь, Г. Н. Талалакин // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 7 . – 881-885 .