Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Козловский, В. И. - Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs(001) эпита...
Козловский, В. И. - Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs(001) эпита...
Статья
Автор: Козловский, В. И.
Физика и техника полупроводников: Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs(001) эпита...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Козловский, В. И.
Физика и техника полупроводников: Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs(001) эпита...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, В. И.
Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs(001) эпитаксией из молекулярных пучков / Низкоразмерные системы / В. И. Козловский, В. Г. Литвинов, Ю. Г. Садофьев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 8 . – 998-1003 .
Козловский, В. И.
Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs(001) эпитаксией из молекулярных пучков / Низкоразмерные системы / В. И. Козловский, В. Г. Литвинов, Ю. Г. Садофьев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 8 . – 998-1003 .