Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 6 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 6 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Гергель, В. А.
О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах
б.г.
ISBN отсутствует
Гергель, В. А.
О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грехов, И. В.
Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует
Грехов, И. В.
Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кибис, О. В.
Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках в квантующем магнитном поле
б.г.
ISBN отсутствует
Кибис, О. В.
Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках в квантующем магнитном поле
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Арапов, Ю. Г.
Особенности квантового эффекта Холла в широкой потенциальной яме p-Ge1-xSix/Ge/p-Ge1-xSix
б.г.
ISBN отсутствует
Арапов, Ю. Г.
Особенности квантового эффекта Холла в широкой потенциальной яме p-Ge1-xSix/Ge/p-Ge1-xSix
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Антюшин, В. Ф.
Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Антюшин, В. Ф.
Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вабищевич, Н. В.
Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Вабищевич, Н. В.
Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Тагиев, О. Б.
Исследование влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристалла MnGaInS4:Eu
б.г.
ISBN отсутствует
Тагиев, О. Б.
Исследование влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристалла MnGaInS4:Eu
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дощанов, К. М.
Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Дощанов, К. М.
Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берман, Л. С.
Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент
б.г.
ISBN отсутствует
Берман, Л. С.
Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абдурахманов, К. П.
Процессы дефектообразования в кремнии, легированном марганцем и германием
б.г.
ISBN отсутствует
Абдурахманов, К. П.
Процессы дефектообразования в кремнии, легированном марганцем и германием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Буланый, М. Ф.
О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка
б.г.
ISBN отсутствует
Буланый, М. Ф.
О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вавилова, Л. С.
Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP
б.г.
ISBN отсутствует
Вавилова, Л. С.
Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP
б.г.
ISBN отсутствует