Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Антюшин, В. Ф. - Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs
Антюшин, В. Ф. - Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs
Статья
Автор: Антюшин, В. Ф.
Физика и техника полупроводников: Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Антюшин, В. Ф.
Физика и техника полупроводников: Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Антюшин, В. Ф.
Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs / В. Ф. Антюшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Власов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 6 . – 718-720 .
Антюшин, В. Ф.
Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs / В. Ф. Антюшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Власов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 6 . – 718-720 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 6
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 6
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный