Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Каражанов, С. Ж. - Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p-Si-n-3C-SiC / Полупроводниковые структуры, границы...
Каражанов, С. Ж. - Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p-Si-n-3C-SiC / Полупроводниковые структуры, границы...
Статья
Автор: Каражанов, С. Ж.
Физика и техника полупроводников: Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p-Si-n-3C-SiC / Полупроводниковые структуры, границы...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Каражанов, С. Ж.
Физика и техника полупроводников: Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p-Si-n-3C-SiC / Полупроводниковые структуры, границы...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Каражанов, С. Ж.
Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p-Si-n-3C-SiC / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / С. Ж. Каражанов, И. Г. Атабаев, Т. М. Салиев, Э. В. Канаки, Е. Джаксимов // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 1 . – 75-77 .
Каражанов, С. Ж.
Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p-Si-n-3C-SiC / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / С. Ж. Каражанов, И. Г. Атабаев, Т. М. Салиев, Э. В. Канаки, Е. Джаксимов // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 1 . – 75-77 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 1
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 1
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный