Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Звонков, Б. Н. - Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства г...
Звонков, Б. Н. - Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства г...
Статья
Автор: Звонков, Б. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства г...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Звонков, Б. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства г...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Звонков, Б. Н.
Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией / Низкоразмерные системы / Б. Н. Звонков, И. А. Карпович, Н. В. Байдусь, Д. О. Филатов, С. В. Морозов // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 1 . – 92-97 .
Звонков, Б. Н.
Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией / Низкоразмерные системы / Б. Н. Звонков, И. А. Карпович, Н. В. Байдусь, Д. О. Филатов, С. В. Морозов // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 1 . – 92-97 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 1
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 1
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный