Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шенгуров, В. Г. - Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / Пол...
Шенгуров, В. Г. - Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / Пол...
Статья
Автор: Шенгуров, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / Пол...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шенгуров, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / Пол...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шенгуров, В. Г.
Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков, Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник, Б. А. Андреев, М. В. Степихова, Д. В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 8 . – 954-959 .
Шенгуров, В. Г.
Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков, Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник, Б. А. Андреев, М. В. Степихова, Д. В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 8 . – 954-959 .