Электронный каталог -Борошнев, А. В. - Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs - GaAs, полученных жидкофазной ...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Борошнев, А. В. - Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs - GaAs, полученных жидкофазной ...

Борошнев, А. В. - Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs - GaAs, полученных жидкофазной ...

Доступно
1 из 1

Диссертация
Автор: Борошнев, А. В.
Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs - GaAs, полученных жидкофазной ... : дис... к.т.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков"
Издательство: [МИСиС], 1981 г.
ISBN отсутствует

Заказать

На полку

Диссертация
Б-835дсп

Борошнев, А. В.
Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs - GaAs, полученных жидкофазной эпитаксией, от легирования и условий инжекционного возбуждения : дис... к.т.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков" / А. В. Борошнев, С. С. Горелик . – М. : [МИСиС], 1981 . – 172 с. : ил. - (М-во высш. и сред. спец. образования СССР,МИСиС). Для служебного пользования.

Общий = Физика : полупроводники
Общий = Материаловедение : дефекты материалов
Общий = Химия : неорганическая химия : периодическая система элементов : алюминий
Общий = Химия : неорганическая химия : периодическая система элементов : галлий

СП-13872 21:Фонд дис.ДСП МИСиС