Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Войцеховский, А. В. - Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства МЛЭ-структур на основе Hg1-xCdxTe / Физические свой...
Войцеховский, А. В. - Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства МЛЭ-структур на основе Hg1-xCdxTe / Физические свой...
Статья
Автор: Войцеховский, А. В.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства МЛЭ-структур на основе Hg1-xCdxTe / Физические свой...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Войцеховский, А. В.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства МЛЭ-структур на основе Hg1-xCdxTe / Физические свой...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства МЛЭ-структур на основе Hg1-xCdxTe / Физические свойства и методы исследования / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2000 . – N 1 . – 65-68 .
Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства МЛЭ-структур на основе Hg1-xCdxTe / Физические свойства и методы исследования / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2000 . – N 1 . – 65-68 .
Привязано к:
Нет экз.