Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Одноблюдов, В. А. - Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии / ...
Одноблюдов, В. А. - Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии / ...
Статья
Автор: Одноблюдов, В. А.
Физика и техника полупроводников: Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Одноблюдов, В. А.
Физика и техника полупроводников: Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Одноблюдов, В. А.
Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. А. Одноблюдов, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, Н. А. Малеев, Е. С. Семенова, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 5 . – 554-559 .
Одноблюдов, В. А.
Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. А. Одноблюдов, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, Н. А. Малеев, Е. С. Семенова, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 5 . – 554-559 .