Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гергель, В. А. - Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах / Физика полупроводниковых приборов
Гергель, В. А. - Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах / Физика полупроводниковых приборов
Статья
Автор: Гергель, В. А.
Физика и техника полупроводников: Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гергель, В. А.
Физика и техника полупроводников: Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гергель, В. А.
Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах / Физика полупроводниковых приборов / В. А. Гергель, Е. Ю. Кулькова, В. Г. Мокеров, М. В. Тимофеев, Г. Ю. Хренов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 4 . – с. 496-499 .
Гергель, В. А.
Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах / Физика полупроводниковых приборов / В. А. Гергель, Е. Ю. Кулькова, В. Г. Мокеров, М. В. Тимофеев, Г. Ю. Хренов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 4 . – с. 496-499 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 4
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 4
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный