Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si / Полупро...
Качурин, Г. А. - О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si / Полупро...
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si / Полупро...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si / Полупро...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Качурин, Г. А.
О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, В. А. Володин, В. Г. Кеслер, А. Ф. Лейер, M.-O. Ruault // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 6 . – с. 685-689 .
Качурин, Г. А.
О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, В. А. Володин, В. Г. Кеслер, А. Ф. Лейер, M.-O. Ruault // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 6 . – с. 685-689 .