Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ибрагимов, Т. Д. - Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2 спектроскопическими методами /...
Ибрагимов, Т. Д. - Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2 спектроскопическими методами /...
Статья
Автор: Ибрагимов, Т. Д.
Физика и техника полупроводников: Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2 спектроскопическими методами /...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ибрагимов, Т. Д.
Физика и техника полупроводников: Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2 спектроскопическими методами /...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ибрагимов, Т. Д.
Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2 спектроскопическими методами / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Т. Д. Ибрагимов, Э. А. Джафарова, З. Б. Сафаров // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 7 . – с. 858-860 .
Ибрагимов, Т. Д.
Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2 спектроскопическими методами / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Т. Д. Ибрагимов, Э. А. Джафарова, З. Б. Сафаров // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 7 . – с. 858-860 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 7
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 7
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный