Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Соловьев, В. А. - GaAs в GaSb - напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона / Ни...
Соловьев, В. А. - GaAs в GaSb - напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона / Ни...
Статья
Автор: Соловьев, В. А.
Физика и техника полупроводников: GaAs в GaSb - напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона / Ни...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Соловьев, В. А.
Физика и техника полупроводников: GaAs в GaSb - напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона / Ни...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Соловьев, В. А.
GaAs в GaSb - напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона / Низкоразмерные системы / В. А. Соловьев, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, Я. В. Терентьев, Р. Н. Кютт, А. А. Ситникова, А. Н. Семенов, С. В. Иванов, Motlan, E. M. Goldys, П. С. Копьев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 7 . – с. 869-873 .
Соловьев, В. А.
GaAs в GaSb - напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона / Низкоразмерные системы / В. А. Соловьев, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, Я. В. Терентьев, Р. Н. Кютт, А. А. Ситникова, А. Н. Семенов, С. В. Иванов, Motlan, E. M. Goldys, П. С. Копьев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 7 . – с. 869-873 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 7
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 7
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный