Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вилисова, М. Д. - Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Ато...
Вилисова, М. Д. - Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Ато...
Статья
Автор: Вилисова, М. Д.
Физика и техника полупроводников: Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Ато...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вилисова, М. Д.
Физика и техника полупроводников: Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Ато...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вилисова, М. Д.
Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. Д. Вилисова, А. Е. Куницын, Л. Г. Лаврентьева, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. Е. Торопов, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 9 . – с. 1025-1030 .
Вилисова, М. Д.
Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. Д. Вилисова, А. Е. Куницын, Л. Г. Лаврентьева, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. Е. Торопов, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 9 . – с. 1025-1030 .